THz発生器（大口径GaAｓ櫛形電極型）Tera-SED ノバンタ社 (NOVANTA)
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テラヘルツ発生器（大口径GaAｓ櫛形電極型）Tera-SED
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主な特長
- 大口径THz発生器
- 低い外部バイアス電圧
- 外部冷却の必要なし
- 優れた櫛形電極構造
技術的方法
Tera-SEDは、平面型の大口径GaAs半導体基板をベースとした光伝導発生器で、広帯域のテラヘルツ波を急激に発生させることができ、デザイン性にも優れています。電極を櫛形構造（MSM/Metal Semiconductor Metal構造）にすることにより、各電極間にkV/cmのバイアス電場強度を有する、大面積のアクティブ領域を得ることができます。低い外部バイアス電圧を必要とするだけで、パルス化された高電圧供給は不要です。Tera-SEDは、柔軟性・拡張性に優れたデバイス技術によって生み出された効率的かつ汎用的なテラヘルツ発生器です。
Tera-SEDは、外部冷却の必要がなく、1インチの光学マウントに取り付けることが可能な金属製のホルダーに組み込まれています。使いやすく、煩わしいアライメントは一切不要というのが重要なポイントです。
Tera-SEDには、2つの異なるタイプがあります。1つは寸法が、10mm x 10mmでパルスエネルギー最大300μJまで増幅されたフェムト秒レーザーシステムからのパルスを用いて使用します。このとき観測される出力の飽和は、10μJです。もう1つは、サイズが 3mmx3mmでフェムト秒オシレーターを用いて使用するのに最適です。
仕様
| Tera-SED3 | Tera-SED10 | |
|---|---|---|
| 寸法 | 3×3 mm2 | 10×10 mm2 |
| ピーク発振周波数 | 1.0～1.5 THz | |
| スペクトル幅 | 2.5THz未満（@-10dB） | |
| Pulse energy | 7.5 nJ | 10 µJ |
| 励起強度（最大） | 8 W/mm2 | |
| 励起出力（最大） | 650 mW | |
| 励起波長 | 700～850 nm | |
| THzパルス電場振幅 | < 5kV/cm | |
| 低いバイアス電圧（DCまたはｽｲｯﾁﾝｸﾞ）1 | 1～30 V | |
| バイアス変調周波数 | DC ～ 100 kHz | |
| デューティサイクル2 | 5% ～ 100% (連続発振) | |
1最大バイアス電圧は、アクティブ領域および使用形態に依存する
2最大負荷サイクルは、アクティブ領域および使用形態に依存する
電気的仕様※
| V（バイアス） | デューティサイクル | THz電場振幅 | |
|---|---|---|---|
| Tera-SED3 | 最大10V | 連続発振 | 100 V/cm (@10 V) |
| パルスエネルギー：7.5nJ | 10 V～20 V | 50% | 200 V/cm (@ 20 V) |
| 集光サイズ：300μm | 最大30V | 10% | 300 V/cm |
| Tera-SED10 | 最大5V | 連続発振 | 1000 V/cm (@5V) |
| パルスエネルギー：10μJ | 5V ～ 20V | 50% | 2000 V/cm (@20 V) |
| 集光サイズ：2～6mm | 最大25V | 5% | 5000 V/cm |
※典型値のみ記載。実際の電場強度は、特定の実験条件によって変わります
THz発生器（大口径GaAｓ櫛形電極型）Tera-SED ノバンタ社 (NOVANTA)のテクニカルノート
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