RayVen-L|2µm帯・高エネルギーで先端材料加工を実現するフェムト秒レーザー
RayVen Laser社 RayVen-L
シリコン・ガラス・樹脂加工に特化した2.1 µm超短パルスレーザー
RayVen-Lは、2.1µm帯で動作する高エネルギー・フェムト秒超短パルスレーザーで、次世代の半導体加工、微細構造形成、材料科学研究に革新をもたらします。10kHz ~ 100kHzの可変繰り返し周波数、750fsのパルス幅、最大10Wの平均出力、1mJの高エネルギーパルスを実現し、精密かつ高効率な加工が可能です。
このレーザーは、シリコンやゲルマニウムを透過し、ポリマーやガラスに強く吸収される特性を持つため、半導体やバイオチップ製造、精密切断、超高速分光などの研究分野での活用が期待されています。 シリコン、ガラス、ポリマーといった材料に対する先端レーザー加工用途、また従来の1µm帯レーザーでは困難だった内部改質や裏面加工においても、 RayVen-Lは新しい加工自由度を提供します。
- 高パルスエネルギー:最大 1mJ @ 2.1µm
- フェムト秒パルス:750fs
- 優れたビーム品質:TEM₀₀, M² < 1.2
- 高い出力安定性と再現性
- 産業用途を意識した堅牢・防塵設計
- RayVen-L
- カタログ
index
主な特長・仕様
- パルスエネルギー:1mJ ~ 100μJ
- 繰返し:10kHz ~ 100kHz
- 平均出力:10W
- パルス幅:750fs
- 波長:2085 nm / 10 nm (-3dB)
- ビーム品質:TEMoo, M²<1.2
- 光軸高さ:80mm
- 寸法(レーザーヘッド):470 x 322 x 112 mm³
- 水冷
パルス幅とスペクトル特性
高エネルギー2µm帯フェムト秒パルス設計
RayVen-Lは、2.1µm帯で最大1mJのパルスエネルギーを提供します。
この波長域は、シリコンやガラスに対して高い透過性を持ち、 多光子吸収を利用した内部加工や裏面加工に適しています。
表面への熱影響を抑えながら、材料内部にのみ作用させる加工が可能です。
高いビーム品質と出力安定性
RayVen-Lは、回折限界に近いビーム品質(M² < 1.2)を実現しています。
長時間運転においてもパルスエネルギーの変動が小さく、 精密加工や再現性が求められるプロセスに適しています。
産業用途を想定した堅牢設計
防塵性を備えた工業設計により、 研究用途だけでなく応用開発・加工検証環境でも安心して使用できます。
全水冷方式を採用し、高出力動作時でも安定した運転が可能です。
アプリケーション|RayVen-Lが適する応用分野
RayVen-Lは、高エネルギー2µm帯フェムト秒パルスの特長を活かし、 先端材料加工や新規プロセス開発に使用されています。
特に、材料内部への選択的な作用が求められる加工において、 高い効果を発揮します。
シリコン加工(半導体・材料研究)
- シリコンウエハのスクライビング
- 裏面加工・内部改質
- 高精度クラック制御・分離
2µm帯レーザーはシリコンへの透過性が高く、 従来波長では困難だったウェハ加工、シリコン接合、穴あけ、切断といった半導体製造工程に新たな可能性を提供します。
- シリコンウェハ(厚み350μm、精密研磨済み)
- シリコンウェハ(厚み350μm、クレーブエッジ)
ガラス・透明材料の内部加工
- ガラス内部改質
- 体積内加工(In-volume modification)
- 高付加価値ガラス部品加工
Corning 7979 などの厚物ガラスに対しても、 内部のみを選択的に加工することが可能です。
- Corning7979ガラス(厚み6.35mm)
- PMMA(透明材料)におけるラインスクライビング(500μm)
ポリマー・樹脂材料加工
- PMMAなど透明樹脂の微細加工
- 医療・マイクロ流体デバイス向け加工
- 低熱影響プロセス
ポリマー材料に対する高い吸収率を活かし、マイクロ流体デバイスやラボオンチップの製造に適用可能です。
アプリケーション
- フェムト秒レーザー応用
- マイクロマシニング
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