横ゼーマンHeNeは、これまで説明してきた他のものよりも、スプリットシングルモードで (少なくともこの種のレーザーでは) 真に高い出力を生成する可能性があります。横磁場が、1本を中心とした3本のモードで動作するランダム偏極HeNeに印加されると (上記の3モードレーザーの場合と同様)、ゼーマンシフトがキャビティモード間隔と同じになるような磁界強度の場合、すべてのパワーがメインとなる中央のキャビティモードに崩壊して側面のモードが抑制される可能性があります。この方式では最大5mW以上が可能です。必要な電界強度は、c/2L/2.8G程度、またはキャビティ長350mmの一般的な5mWチューブの場合は約150Gである必要があります。