高性能半導体レーザー 56RCS

638nm, 642nm, 660nm, 785nm, 830nm・〜110mW
CVI Melles Griot
638nm, 642nm, 660nm, 785nm, 830nm・〜110mW
56RCSシリーズは、アナログ変調出力と高速デジタル変調出力の2種類が用意され、アナログ変調出力では立ち上がり/ 降下を70nsecで、デジタル変調出力では立ち上がり/降下を1nsecで駆動します。 先進的な光学技術により、優秀なビームクオリティと高速変調を備えた本シリーズは、複写機、半導体製造での写真工程および蛍光分析機器等でその威力を発揮します。紫色モデル(408nm)と青色モデル(440nm)は、HeCdレーザーやDPSSレーザーからの理想的な後継モデルとなります。

● 特長

・アナログ変調 >5MHz
・出力安定性 ≦±2%
・ノイズ p-p <2%
・高速デジタル変調(立ち上がり/下降合計時間 <1nsec)
・ボアサイト <2mrad
・離れた位置でのビーム真円度 >95%
・CDRHとCEに準拠

● アプリケーション

・複写機
・レーザー顕微鏡
・半導体露光装置
・蛍光分析

● 仕様(408nm~473nm)

Model 56RCS
001/HV 002/HV 006/HV 010/HV 005/HV 014/HV
波長(nm)
408
408
408
442
442
473
出力(mW) >44 >50 >48 >36 >36 >15
ビームサイズ(mm, 1/e) 0.7 2.9 4.5 0.7 1.1 0.7
ビーム拡がり角(mrad)
<0.9
<0.3
<0.2
<1.1
<0.8
<1.2
ファーフィールドでの真円度 >95%
ボアサイト <2mrad
中心度 <0.5mrad
ビーム位置安定度 <10μrad/℃
出力安定性
(22℃±5℃、8時間)
±2%
消光費 >100:1
偏光方向 ±2°(ベースプレートに対して垂直)

● 仕様(638nm~830nm)

Model 56RCS
004/HS 009/HS 008/HS 012/HS 013/HS
波長(nm)
638
642
658
780
830
出力(mW) >28 >45 >75 >52 >110
ビームサイズ(mm, 1/e) 1.1 0.7 0.7 1.0 1.0
ビーム拡がり角(mrad)
<1.3
<1.5
<1.6
<1.4
<1.4
ファーフィールドでの真円度 >95%
ボアサイト <2mrad
中心度 <0.5mrad
ビーム位置安定度 <10μrad/℃
出力安定性
(22℃±5℃、8時間)
±2%
消光費 >100:1
偏光方向 ±2°(ベースプレートに対して垂直)
変調仕様
高速デジタル変調
アナログ変調
立ち上がり/下降時間
<1nsec
<70nsec
バンド幅 DC~>300MHz(-3dB) DC~>5MHz(-3dB)
入力 0~5V, 50Ω
SMBコネクタより
0~5V(TTLに変換)
SMBコネクタより
パルスオーバー/
アンダーシュート
<10%
<10%
ユーティリティ
冷却 TEクーラー
動作温度 5~40℃
保管温度 -10℃~60℃
相対温度(結露なし) 0~95%
入力電圧 408nm~473nm
638nm~830nm
9±0.3Vdc@2.5A
5±0.3Vdc@2.5A
放出熱量 Max 13W
レーザークラス Class 3b

● Dimension

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